发明名称 改善相位移光罩造成线宽不一致的方法
摘要 一种改善相位移光罩造成线宽不一致的方法,其将一相位移光罩于第一次曝光后,微幅步进该光罩,再第二次曝光以平衡因光罩侧壁散射所造成的线宽不一致;或者,在使用一相位移光罩曝光后,再使用另一互补的相位移光罩曝光,以使线宽一致。
申请公布号 TWI223131 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW092131007 申请日期 2003.11.05
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 吴宗显;杨大弘
分类号 G03F7/20 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 黄重智 新竹市四维路一三○号十三楼之七
主权项 1.一种改善相位移光罩造成线宽不一致的方法,该相位移光罩具有一第一区域及一第二区域,该方法包括下列步骤:将该相位移光罩的该第一区域及第二区域分别对应一晶圆的第一位置及第二位置;以该相位移光罩作为该晶圆的遮罩进行第一次曝光;平移该相位移光罩,使该第一区域及第二区域分别对应该晶圆的该第二位置及第一位置;以及对该晶圆进行第二次曝光。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该平移该相位移光罩的步骤系以微幅步进平移该相位移光罩。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一区域及第二区域具有180度的相位差。4.一种改善相位移光罩造成线宽不一致的方法,包括下列步骤:使用一第一相位移光罩作为一晶圆的遮罩在一位置上进行第一次曝光;以及使用一与该第一相位移光罩互补的第二相位移光罩作为该晶圆的遮罩在该位置上进行第二次曝光。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该第一相位移光罩具二区域彼此相位差180度。图式简单说明:第一图系传统的相位移光罩;第二图系光线被相位移光罩侧壁散射之示意图;第三图系使用第一图相位移光罩曝光后,晶片上位置与线宽的关系图;第四图系习知经横向蚀刻凹槽的雷文森相位移光罩;第五图系本发明改善相位移光罩造成线宽不平衡的方法示意图;第六图系使用本发明方法后晶片上位置与线宽的关系图;第七图系第六图中相位移光罩30的上视图,其显示相位移光罩30上区域306及308形状的示例;以及第八图系第六图中相位移光罩30的上视图,其显示相位移光罩30上区域306及308形状的另一示例。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路十六号