| 主权项 |
1.一种电压峰値检知器,用以检测输入电压信号之峰値,其包括:一输入端,用以提供一输入电压信号;一输出端,用以输出该输入电压信号之峰値电压;一电源供应电压,用以提供电压峰値检知器所需之电源电压和参考接地;一具单边负载电晶体之差动放大器1,用以接受并比较输入电压信号及电容器上之电压信号,并提供充电电流信号给充电电晶体;一充电电晶体2,用以根据该差动放大器1之单边负载电晶体所流过之电流量,而提供一与该电流量等量之充电电流给电容器;一电容器C,该电容器之一端连接至充电电晶体2,以便接受该充电电晶体2所供应之充电电流,而另一端则连接至参考接地;以及一输出级3,连接在电容器C之一端与该电压峰値检知器输出端之间,用以调整电容器C上之电压信号,以便精确地输出该输入电压信号之峰値电压。2.如申请专利范围第1项所述之电压峰値检知器,其更包括:一开关,该开关系与该电容器并联连接,用以提供一放电路径,以便将电容器上所储存之电荷放电,俾利于下次输入电压信号之峰値检测。3.如申请专利范围第2项所述之电压峰値检知器,其中该开关系由一金氧半电晶体所组成。4.如申请专利范围第1项所述之电压峰値检知器,其中该具单边负载电晶体之差动放大器1包括:一单边负载电晶体,其系由第一PMOS电晶体MP1所组成,该第一PMOS电晶体MP1之源极连接至电源电压,闸极与汲极连接在一起,并连接至充电电晶体2之闸极;一第一NMOS电晶体MN1,其源极与第二NMOS电晶体MN2之源极以及第三NMOS电晶体MN3之汲极相连接,闸极用以接受输入电压信号,而汲极则与该充电电晶体2之闸极以及该第一PMOS电晶体MP1之汲极相连接;一第二NMOS电晶体MN2,其源极与第一NMOS电晶体MN1之源极以及第三NMOS电晶体MN3之汲极相连接,闸极用以接受电容器上之电压信号,而汲极则连接至电源电压;以及一第三NMOS电晶体MN3,其源极连接至参考接地,闸极连接至电源电压,而汲极则与第一以及第二NMOS电晶体MN1和MN2之源极相连接;该充电电晶体2系由第二PMOS电晶体MP2所组成,该第二PMOS电晶体MP2之源极连接至电源电压,闸极与第一PMOS电晶体MP1之闸极以及第一NMOS电晶体MN1之汲极相连接,而汲极则与该电容器之一端以及第二NMOS电晶体MN2之闸极相连接;而该输出级3包括:一第四NMOS电晶体MN4,其源极连接至输出端,闸极连接至电容器之一端,以便接受该电容器上之电压信号,而汲极则与电源电压相连接;以及一电阻器R,该电阻器系连接在该电压峰値检知器之输出端与参考接地之间。图式简单说明:第一图系显示第一先前技艺中电压峰値检知器之电路图;第二图系显示第一图电压峰値检知器之输入电压信号及输出电压信号之暂态分析时序图;第三图系显示第二先前技艺中电压峰値检知器之电路图;第四图系显示第三图电压峰値检知器之输入电压信号及输出电压信号之暂态分析时序图;第五图系显示本发明较佳实施例之电压峰値检知器之电路图;第六图系显示本发明电压峰値检知器之输入电压信号及输出电压信号之第一暂态分析时序图;第七图系显示本发明电压峰値检知器之输入电压信号及输出电压信号之第二暂态分析时序图。 |
