| 主权项 |
1.一种静态随机存取记忆体(SRAM)装置包括:复数个一般记忆体区块,其每一个都包括了用来储存资料的N个一般记忆体单元,其中N是自然数;一备用记忆体区块,其包括了一个或更多个用来储存资料的备用记忆体单元;一缺陷区块设定区段,用来储存第一个缺陷区块讯息,指示复数个一般记忆体区块中包括缺陷一般记忆体单元之一般记忆体区块;N个内部资料线,其各自耦合到被包括在复数个一般记忆体区块之每一个的N个一般记忆体单元,其N个内部资料线用来读取被包括在复数个一般记忆体区块的其中之一个N个一般记忆体单元的储存资料,这N个一般记忆体单元是藉由存取讯息来指定,其中存取讯息是由外部输入到该SRAM装置;一个或更多备用资料线耦合到备用记忆区块,用来从被包括在备用记忆区块之一个或更多备用记忆体单元读取资料;N个外部资料线,藉由SRAM装置来输出资料;以及一耦合电路,取决于第一个缺陷区块讯息与存取讯息是否相符合,用来耦合在一般记忆体区块中,没有耦合到藉由第一个缺陷区块讯息指示之缺陷一般记忆体单元的这些N个内部资料线,并且在耦合备用资料线中至少有其中一个到N个外部资料线,或是耦合N个内部资料线到N个外部资料线。2.如申请专利范围第1项的静态随机存取记忆体(SRAM)装置,其中该缺陷区块设定区段尚存储着第二个缺陷区块讯息,指示被包括在由第一个缺陷区块讯息指示之一般记忆体区块中N个一般记忆体单元中的缺陷一般记忆体单元。3.如申请专利范围第2项的静态随机存取记忆体(SRAM)装置,其中该缺陷区块设定区段包括非挥发可编程装置,其用来储存第一个缺陷区块讯息和第二个缺陷区块讯息。4.如申请专利范围第1项的静态随机存取记忆体(SRAM)装置,其中:该备用记忆体区块包括备用字线,其至少耦合到包含在备用记忆体区块里的一个或者更多备用记忆体单元中的其中一个;并且备用字线从存取讯息被独立的被启动。5.如申请专利范围第1项的静态随机存取记忆体(SRAM)装置,其中:该备用记忆体区块包括备用字线,其至少耦合到包含在备用记忆体区块里的一个或者更多备用记忆体单元中之其中一个;并且备用字线依照存取讯息被启动。6.如申请专利范围第1项的静态随机存取记忆体(SRAM)装置,其中该耦合电路耦合这些没有耦合到缺陷一般记忆体单元的N个内部资料线,并且在一个或者更多备用资料线中至少有其中一个以预定的顺序耦合到N个外部资料线。7.如申请专利范围第1项的静态随机存取记忆体(SRAM)装置,其中:该SRAM装置尚包括主要字线;复数个一般记忆体区块的每一个尚包括耦合到N个一般记忆体单元的分裂字线,其中N个一般记忆体单元被包括在复数个一般记忆体区块的每一个;并且包括在复数个一般记忆体区块之每一个的分裂字线被耦合到该主要字线。图式简单说明:图1是依据本发明说明SRAM装置100的方块图。图2是依据本发明说明耦合电路1之架构和缺陷区块设定区段170的电路图。图3A是说明缺陷位址比较电路2之架构的电路图。图3B是显示存取讯息和被存取的一般记忆体区块之间关系的表格。图4是说明出现在线321之信号波形的波形图,其以熔丝21被切断以及熔丝21没被切断为例子。图5A和5B是说明SRAM装置100之操作时序的波形图。图6是说明没有提供备用字线选择线S1之SRAM装置100a架构的方块图,其中每个备用字线是直接耦合到对应主要字线。 |
