相变记忆体装置以及其制造方法

摘要

示范性实施例涉及一种半导体记忆体装置及其制造方法。其他示范性实施例涉及一种相变记忆体装置及其制造方法。在此提供了一种用以提高或最大化产量之相变记忆体装置及其制造方法。此方法包括：于首先移除用于形成电连接到半导体基底之接触垫之第一硬罩幕层之后，形成经形成于接触垫上之第一层间绝缘层内之第一接触孔电连接到接触垫并且具有与第一层间绝缘层相等或近似之厚度之下电极；以及于下电极上形成相变层以及上电极。由于减少或防止了由知第一硬罩幕层之不均匀厚度引起之下电极之电阻值的改变，产量可以得到提高。