| 发明名称 | 生长氮化镓晶体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。 | ||
| 申请公布号 | CN101086963A | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200710110258.7 | 申请日期 | 2007.06.08 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 冈久拓司;元木健作;上松康二;中畑成二;弘田龙;井尻英幸;笠井仁;藤田俊介;佐藤史隆;松冈彻 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L23/00(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01);H01S5/323(2006.01);H01S5/343(2006.01);C30B25/02(2006.01);C30B29/40(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体的外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在其中形成了所述掩模(M)的所述地衬底(U)上，外延生长氮化镓晶体的步骤，其中在所述外延生长的步骤中，第一晶体区从所述掩模(M)外围朝着内部生长，和在所述第一晶体区中，c轴方向相对于在所述地衬底(U)中没有形成所述掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 | ||