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Es wird eine Struktur bereitgestellt, bei der eine Emitterschicht (3) in der Region (A) auf der ersten Hauptoberflächenseite eines Halbleitersubstrates (1) vorgesehen ist und eine Emitterschicht (3) nicht in der Region (B) vorgesehen ist. Es wird eine Struktur bereitgestellt, bei der eine P-Kollektorschicht (5) in der Region A auf der Seite der zweiten Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrates (1) vorgesehen ist und eine N-Kathodenschicht (4) in der Region (B) vorgesehen ist. Speziell wird eine Struktur bereitgestellt, bei der IGBTs in der Region (A) ausgebildet sind und Dioden in der Region (B) ausgebildet sind. Durch die oben beschriebene Struktur können die AN-Eigenschaften beim Anschalten des Gates verbessert werden, während die Erhöhung der Spannung in Flussrichtung Vf und der Erholungsstrom der Dioden herabgedrückt werden.
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