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디바이스는 기판 위의 제어 게이트 구조물, 기판 위의 메모리 게이트 구조물 ― 제어 게이트 구조물과 메모리 게이트 구조물 사이에는 전하 저장층이 형성됨 ― , 메모리 게이트 구조물의 측벽을 따르는 제1 스페이서, 제어 게이트 구조물의 측벽을 따르는 제2 스페이서, 메모리 게이트 구조물의 상부면 위의 산화물층, 산화물층 위의 상부 스페이서, 메모리 게이트 구조물에 인접하여 기판 내에 형성된 제1 드레인/소스 영역, 및 제어 게이트 구조물에 인접하여 기판 내에 형성된 제2 드레인/소스 영역을 포함한다. |
