METHODS OF OPERATING MEMORY SYSTEMS

摘要

본 발명에 따른 메모리 시스템 동작 방법은, 복수의 메모리 셀들을 각각 포함하는 복수의 메모리 블록들을 포함하고, 상기 복수의 메모리 블록들의 각각은 적어도 제1 서브 블록 및 제2 서브 블록으로 구분되는 메모리 시스템의 동작 방법으로서, 제1 비트 수의 데이터를 프로그램하는 제1 프로그램 방법으로 상기 제1 서브 블록 및 상기 제2 서브 블록의 적어도 하나의 워드라인에 연결된 메모리 셀들 대한 프로그램 동작을 수행하는 단계, 상기 제1 서브 블록에 대한 소거 동작을 수행하는 단계, 상기 제1 서브 블록 및 상기 제2 서브 블록에 포함된 상기 복수의 메모리 셀들의 문턱전압 산포 상태를 검출하여, 상기 검출 결과를 기반으로, 상기 제2 서브 블록에 포함된 메모리 셀들 중 상기 제1 서브 블록에 인접하는 적어도 하나의 워드라인을 포함한 제2 인접 워드라인에 연결된 메모리 셀들에 대하여, 제2 비트 수의 데이터를 프로그램하는 제2 프로그램 방법으로 프로그램 동작을 수행할지 여부를 설정하는 단계를 포함한다.