| 发明名称 | 一种测试器件群场效应晶体管及其测试器件群测试方法 | ||
| 摘要 | 一种测试器件群场效应晶体管，包括：衬底；源极区，位于所述衬底之中；漏极区，位于所述衬底之中，并在所述衬底的水平方向上与所述源极区相对布置；介电层，在所述衬底的垂直方向上覆盖于所述衬底之上；以及栅极区，在所述垂直方向上位于所述介电层之上，并在所述水平方向上位于所述源极区和所述漏极区之间，其中，所述栅极区远离在所述水平方向上从所述源极区的中心区域指向所述漏极区的中心区域的轴线。一种测试器件群测试方法，用于测试所述场效应晶体管。能够测量测试器件群场效应晶体管的边缘处的可靠性和工作特性，能够更全面地了解半导体器件的产品质量，有利于半导体器件产品质量的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN103928523B | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201410143407.X | 申请日期 | 2014.04.10 |
| 申请人 | 上海和辉光电有限公司 | 发明人 | 严进嵘;孙鲁男;许嘉哲;黄家琦 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;李玉锁 |
| 主权项 | 一种测试器件群场效应晶体管，包括：衬底；源极区，位于所述衬底之中；漏极区，位于所述衬底之中，并在所述衬底的水平方向上与所述源极区相对布置；介电层，在所述衬底的垂直方向上覆盖于所述衬底之上；以及栅极区，在所述垂直方向上位于所述介电层之上，并在所述水平方向上位于所述源极区和所述漏极区之间，其中，所述栅极区远离在所述水平方向上从所述源极区的中心区域指向所述漏极区的中心区域的轴线。 | ||
| 地址 | 201500 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 | ||