发明名称 半导体记忆体
摘要 于积层CMOS型SAMY之半导体记忆体中,在其负载用薄膜电晶体之通道领域内设置屈曲部,以减低待机时之电流,因而可得高度保持数据特性。
申请公布号 TW247670 申请公布日期 1995.05.11
申请号 TW083205170 申请日期 1991.07.23
申请人 新力股份有限公司 发明人 加山茂树
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项
地址 日本