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发明名称
半导体记忆体
摘要
于积层CMOS型SAMY之半导体记忆体中,在其负载用薄膜电晶体之通道领域内设置屈曲部,以减低待机时之电流,因而可得高度保持数据特性。
申请公布号
TW247670
申请公布日期
1995.05.11
申请号
TW083205170
申请日期
1991.07.23
申请人
新力股份有限公司
发明人
加山茂树
分类号
H01L21/00
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项
地址
日本
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