| 主权项 |
1.一种唯读记忆体之旁通位元线的方法,适用于一唯读记忆体,且上述唯读记忆体包括:复数记忆单元,由MOS电晶体所构成,其排列成具有复数列、行的阵列,且上述MOS电晶体的汲极和源极中之一者接地;复数字元线,分别将沿着上述阵列中同一列之MOS电晶体的闸极耦合起来;复数位元线,分别将沿着上述阵列中同一行之MOS电晶体之汲极和源极中之另一者耦合起来;一多工器,由复数传输电晶体所构成,其分别串接于上述位元线,而使上述传输电晶体、位元线和记忆单元形成电流路径;以及一感测放大器,耦合至上述多工器,用以感测流经上述电流路径的电流大小,而输出对应于上述电流大小的感测信号;其特征在于:上述唯读记忆体之旁通位元线的方法系当上述位元线所耦合之同一行之全部记忆单元为不导通状态,则将与上述同一行全部不导通状态的记忆单元串接的传输电晶体谱码成不导通状态。2.一种唯读记忆体之旁通位元线的方法,适用于一唯读记忆体,且上述唯读记忆体包括:复数记忆单元,由MOS电晶体所构成,其排列成具有复数列、行的阵列,且上述MOS电晶体的汲极和源极中之一者接地;复数字元线,分别将沿着上述阵列中同一列之MOS电晶体的闸极耦合起来;复数位元线,分别将沿着上述阵列中同一行之MOS电晶体之汲极和源极中之另一者耦合起来;一多工器,由复数传输电晶体所构成,其分别串接于上述位元线,而使上述传输电晶体、位元线和记忆单元形成电流路径;以及一感测放大器,耦合至上述多工器,用以感测流经上述电流路径的电流大小,而输出对应于上述电流大小的感测信号;其特征在于:上述唯读记忆体之旁通位元线的方法系设有旁通控制电路,且上述旁通控制电路具有由第一及第二模式选择电晶体所构成的模式选择装置以及依据上述第一及第二模式选择电晶体的导通、不导通而使上述感测信号成正、反相的转换装置;当上述位元线所耦合之同一行之全部记忆单元为不导通状态,则将与上述同一行全部不导通状态的记忆单元串接的传输电晶体谱码成不导通状态,同时将上述第一模式选择电晶体谱码成不导通状态,而使上述转换装置输出与上述感测信号同相的信号;以及当上述位元线所耦合之同一行之全部记忆单元为导通状态,则将与上述同一行全部导通状态的记忆单元串接的传输电晶体谱码成不导通状态,同时将上述第二模式选择电晶体谱码成不导通状态,而使上述转换装置输出与上述感测信号反相的信号。3.一种唯读记忆体之旁通位元线的方法,适用于一平坦型唯读记忆体,且上述平坦型唯读记忆体包括:复数记忆单元,由MOS电晶体所构成,其连接成具有复数列、行的阵列,且上述阵列具有复数叠层;复数叠层选择电晶体,串接于上述叠层之间;复数叠层字元线,分别将沿着上述阵列中同一列之叠层选择电晶体的闸极耦合起来;复数字元线,分别将沿着上述阵列中同一行之MOS电晶体元的闸极耦合起来;复数区域位元线,分别将上述各叠层中同一列之MOS电晶体的汲极、源极耦合起来;复数主位元线,分别藉由上述叠层选电晶体而与上述区域位元线耦合;一多工器,由复数传输电晶体所构成,其分别串接于上述主位元线,而使上述传输电晶体、主位元线、叠层选择电晶体、主位元线和传输电晶体形成电流路径;以及一感测放大器,耦合至上述多工器,用以感测流经上述电流路径的电流大小,而输出对应于上述电流大小的感测信号;其特征在于:上述唯读记忆体之旁通位元线的方法系当上述区域位元线所耦合之同一行之全部记忆单元为不导通状态,则将与上述同一行全部不导通状态的记忆单元串接而形成上述电流路径的叠层选择电晶体谱码成不导通状态;以及当上述主位元线所耦合之同一行之全部记忆单元为不导通状态,则将与上述同一行全部不导通状态的记忆单元串接而形成上述电流路径的传输电晶体谱码成不导通状态。4.一种唯读忆体之旁通位元线的方法,适用于一平坦型唯读记忆体,且上述平坦型唯读记忆体包括:复数记忆单元,由MOS电晶体所构成,其连接成具有复数列、行的阵列,且上述阵列具有复数叠层;复数叠层选电晶体,串接于上述叠层之间复数叠层字元线,分别将沿着上述阵列中同一列之叠层选电晶体的闸极耦合起来;复数字元线,分别将沿着上述阵列中同一行之MOS电晶体的闸极耦合起来;复数区域位元线,分别将上述各叠层中同一列之MOS电晶体的汲极、源极耦合起来;复数主位元线,分别藉由上述叠层选电晶体而与上述区域位元线耦合;一多工器,由复数传输电晶体所构成,其分别串接于上述主位元线,而使上述传输电晶体、主位元线、叠层选择电晶体、区域位元线、记忆单元、区域位元线、叠层选择电晶体、主位元线和传输电晶体形成电流路径;以及一感测放大器,耦合至上述多工器,用以感测流经上述电流路径的电流大小,而输出对应于上述电流大小的感测信号;其特征在于:上述唯读记忆体之旁通位元线的方法系设有旁通控制电路,且上述旁通控制电路具有由第一及第二模式选择电晶体所构成的模式选择装置以及依据上述第一及第二模式选择电晶体的导通、不导通而使上述感测信号成正、反相的转换装置;当上述区域位元线所耦合同一行之全部记忆单元为不导通状态,则将与上述同一行全部不导通状态的记忆单元串接而形成上述电流路径的叠层电晶体谱码成不导通状态,同时将上述第一模式选择电晶体谱码成不导通状态,而使上述转换装置输出与上述感测信号同相的信号;当上述区域位元线所耦合同一行之全部记忆单元为导通状态,则将与上述同一行全部导通状态的记忆单串接而形成上述电流路径的叠层电晶体谱码成不导通状态,同时使上述第二模式选择电晶体谱码成不导通状态,而使上述转换装置输出与上述感测信号反相的信号;当上述位元线所耦合之同一行之全部记忆单元为不导通状态,则将与上述同一行全部不导通状态的记忆单元串接的传输电晶体谱码成不导通状态,同时使上述第一模式选择电晶体谱码成不导通状态,而使上述转换装置输出与上述感测信号同相的信号;以及当上述位元线所耦合之同一行之全部记忆单元为导通状态,则将与上述同一行全部导通状态的记忆单元串接的传输电晶体谱码成不导通状态,同时使上述第二模式选择电晶体谱码成不导通状态,而使上述转换装置输出与上述感测信号反相的信号。第1图系显示传统型之ROM IC的示意图;第2图系显示第1图中的电流路径图;第3图系显示平坦型之ROM IC的示意图;第4图系显示第3图中部份等效电路图;第5图系显示第4图中的电流路径图;第6图系显示用以说明本发明之旁通方法之第1图中的电流路径图;第7图系显示用以说明本发明之旁通方法之第4图中的电流路径图;第8图系显示用以说明本发明之旁通方法之第4图中的电流路径图;第9图系显示依据本发明之旁通控制电路的电路图;以及第10图系显示第9图之旁通控 |
