发明名称 增益控制电路及方法
摘要 一种于高频通讯系统中,于可变增益和自动增益控制放大器或衰减器控制电流增益之电路和方法。一个电晶体通过其提供的电流经常系于相同直流偏压工作而与增益控制变化无关。输入信号提供给电晶体基极,电晶体集极提供一种其增益有待控制的输出电流。调整输出电流增益与直流偏压电流用之AGC电流经由多电晶体电路提供给电晶体基极。
申请公布号 TW355882 申请公布日期 1999.04.11
申请号 TW086114344 申请日期 1997.10.02
申请人 贺利实公司 发明人 约翰S.普林迪斯
分类号 H03G3/30 主分类号 H03G3/30
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种增益控制电路,其具有一个连接于第一电位与接地间的容槽,该容槽包括:一个第一电晶体,其具有一个连接至该容槽输出的第一端子,一个接地的第二端子,和一个连接至该容槽输入的基极;第一对串联电晶体其系连接至第一电位与接地间,一个介于第一对间的第一节点系连接至第一电晶体基极;一个AGC电流源,其系供调整容槽输入电流增益;一个偏压电流源,其系供提供直流偏压电流;第二对串联电晶体其系连接于偏压电流源与接地间,各该第二对电晶体具有其基极连接至其弟一端子,AGC电流源系连接至介于该第二对电晶体间的第二节点,及该第二对电晶体之一的基极系连接至第一对电晶体之第一者的基极;第六电晶体系连接于AGC电流源与接地间,且有其基极连接至第一对电晶体之第二者的基极,且连接至第六电晶体之第一端子,因此,供应给第一电晶体基极的直流偏压系与于容槽输入的输入电流增益变化无关。2.根据申请专利范围第1项之电路,其特征为多个容槽系呈串级,其中第一个容槽的输出变成第二个容槽的输入,最好是多个容槽为偶数。3.根据申请专利范围第1或2项之电路,其特征为该容槽包括:一个第七电晶体,其具有第一端子连接至容槽的第二输出,一个接地的第二端子,和一个基极连接至容槽第二输入;第三对串联电晶体,其系连接于第一电位与接地间,介于该第三对电晶体间的第三节点系连接至第七电晶体的基极;及该第三对电晶体之第一者的基极系连接至第一对电晶体之第一者的基极,而第二对之第二者的基极系连接至第一对第二者的基极。4.根据申请专利范围第1项之电路,其特征为全部电晶体皆为实质上相等尺寸的NPN双极性电晶体,或其中全部电晶体皆为实质上相等尺寸的PNP双极性电晶体,或其中全部电晶体皆为实质上相等尺寸的MOS电晶体。5.根据申请专利范围第4项之电路,其特征为全部电晶体皆为实质上相等尺寸的MOS电晶体。6.根据申请专利范围第5项之电路,其特征为其系适用于增益控制放大器、或增益控制衰减器、或自动增益控制系统。7.一种增益控制电路,包括:一个第一电晶体,其具有一个连接至该容槽输出的第一端子,一个接地的第二端子,和一个连接至该容槽输入的基极;一个工作电路,其包括一个AGC电流源,其系供调整容槽输入电流增益以及一个直流偏压电流源,其系提供直流偏压电流给该第一电晶体,AGC电流源和直流偏压电流源系连接至第一电晶体基极,以至于直流偏压系与输入电流的增益变化无关,其中该工作电路包括第一对串联电晶体,第一对电晶体间有个第一节点其系连接至第一电晶体基极;第二对串联电晶体,其系连接于直流偏压电流源,AGC电流源系连接至介于该第二对电晶体间的第二节点,及该第二对电晶体之一的基极系连接至第一对电晶体之第一者的基极。8.根据申请专利范围第7项之电路,其特征为该工作电路包括第六电晶体,其系连接至AGC电流源,及其基极系连接至第一对电晶体之第二者的基极。9.一种控制电流增益之方法,包括下列步骤:提供输入电流给第一电晶体基极,第一电晶体具有第一端子,其系提供其增益有待控制的输出电流,和一个接地的第二端子;提供(i)一个AGC电流,其系供调整输出电流增益和(ii)经由多电晶体电路提供直流偏压电流给第一电晶体基极,故直流偏压与输出电流增益的变化无关,包括下列步骤:连接介于第一对串联电晶体间之第一节点至第一电晶体基极;连接AGC电流至介于第二对串联电晶体间之第二节点,第二对电晶体系连接至直流偏压,其中第二对电晶体之一的基极系连接至第一对电晶体之第一者的基极;以及连接AGC电流至第六电晶体,第六电晶体的基极系连接至第一对电晶体之第二者的基极。10.根据申请专利范围第9项之方法,其特征为包含下列步骤:提供输出电流给第二电晶体基极,第二电晶体具有第一端子可提供其增益有待控制的第二输出电流,和一个接地的第二端子,提供输出电流给第二电晶体基极,第二电晶体具有第一端子可提供其增益有待控制的第二输出电流,和一个接地的第二端子;及提供(i)一个AGC电流,其系供调整第二输出电流增益和(ii)提供直流偏压电流给第二电晶体基极,以致于直流偏压与第二输出电流增益的变化无关。图式简单说明:第一图为本发明之基本容槽之具体例之电路图。第二图为本发明之串级容槽之具体例之电路图。第三图为本发明之串级容槽之另一具体例之电路图。第四图为本发明之微分装置之具体例之电路图。第五图为本发明之微分装置之第二具体例之电路图。
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