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发明名称 Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Gräben als Isolationszonen
摘要
申请公布号 DE3855469(T2) 申请公布日期 1997.02.13
申请号 DE19883855469T 申请日期 1988.06.15
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 TAKAHASHI, KOUICHI C/O PATENT DIVISION, 1-1, SHIBAURA 1-CHOME MINATO-KU TOKYO, JP;KINOSHITA, HIROSHI C/O PATENT DIVISION, 1-1, SHIBAURA 1-CHOME MINATO-KU TOKYO, JP;MIYASHITA, NAOTO C/O PATENT DIVISION, 1-1, SHIBAURA 1-CHOME MINATO-KU TOKYO, JP;SONOBE, HIRONORI C/O PATENT DIVISION, 1-1, SHIBAURA 1-CHOME MINATO-KU TOKYO, JP
分类号 H01L21/76;H01L21/762;H01L21/763;H01L21/822;H01L27/04;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
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