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发明名称 Verfahren zum Ätzen eines Halbleitersubstrats sowie Ätzanlage
摘要
申请公布号 DE19621399(A1) 申请公布日期 1997.12.04
申请号 DE19961021399 申请日期 1996.05.28
申请人 SIEMENS AG, 80333 MUENCHEN, DE 发明人 MATHUNI, JOSEF, DR., 81737 MUENCHEN, DE;SPORER, ROLAND, 82383 HOHENPEISENBERG, DE;GSCHWANDTNER, ALEXANDER, 80687 MUENCHEN, DE
分类号 H01L21/306;(IPC1-7):H01L21/306;H01J37/32 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
主权项
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