| 摘要 |
<P>L'invention concerne un circuit (200) et un procédé associé de production d'une tension d'effacement ou de programmation d'une cellule mémoire, comprenant un condensateur (C), et un circuit de décharge (207) connecté à une première borne (TOP) du condensateur (C) ) pour décharger le condensateur (C).Selon l'invention, le circuit de décharge (207) du condensateur (C) comprend : - un premier transistor (309), dont un drain est connecté à la première borne (TOP) du condensateur (C), pour activer le circuit de décharge (207) lorsqu'un signal de décharge (DECHARGE) est reçu,- une branche de décharge lente (305, 306) et une branche de décharge rapide (307, 308), connectées en parallèle à la source du premier transistor (309), pour produire un faible ou un fort courant de décharge (IDECHO) du condensateur (C) en fonction d'un signal de sélection (MODE) d'un mode de fonctionnement du circuit.</P>
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