发明名称 从一晶圆上切割一积体电路晶片的方法
摘要 本发明之实施例提供一种从一晶圆上切割一积体电路晶片的方法。先提供上面具有数个晶片以及数个切割线的该晶圆。该等切割线具有至少一低介电常数层于其上。于该等切割线上实施一切割制程。该切割制程至少包含有具有一高能能源之一切割步骤。该高能能源包含有雷射。使用数个高铅(high–lead)含量或是无铅的锡铅凸块(Solder Bump),贴附并电性连接该积体电路至一封装基底(package substrate)。
申请公布号 TW200631088 申请公布日期 2006.09.01
申请号 TW095100418 申请日期 2006.01.05
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 卢思维;李新辉;宋明忠;李明机
分类号 H01L21/304;H01L21/78 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号