在半导体模组中用于散热的方法及装置

摘要

本发明提供一种在一半导体晶片中用于散热之结构及方法。于一散热片(通常为矽)之一正面上形成一介电材料(例如，聚醯亚胺)之一第一层。经由此第一层形成复数个开口；利用金属(通常为铜)填充该等开口，藉此形成延伸穿过该第一层的金属螺丝柱。于该装置晶片之背面上形成金属之一第二层。随后，在一黏接制程中黏接该第一层与该第二层，藉此形成一黏接层，其中该等金属螺丝柱与该第二层接触。因此，该黏接层提供一自该晶片至该散热片之热传导路径。