发明名称 金氧互补半导体影像感应器及其形成方法
摘要 本发明为提供一种影像感应器及其形成方法。该光遮蔽物包括形成在一影像感应元件与调整电路间的一点之上的结构。该结构以一种光阻碍材料,如金属、金属合金、金属复合物或其他类似材料所形成,形成在复数个介电层内。并覆盖在该影像感应元件上。
申请公布号 TW200631134 申请公布日期 2006.09.01
申请号 TW094126339 申请日期 2005.08.03
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 王文德;杨敦年;伍寿国;喻中一
分类号 H01L21/8238;H01L27/146;H04N5/335 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号