| 发明名称 | 半导体工艺的成膜方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有硅烷系气体的第一处理气体和含有氮化气体或氮氧化气体的第二处理气体以及含有掺杂气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成含有杂质的氮化硅膜或氮氧化硅膜。该成膜方法交叉地具有第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域内供给第一和第三处理气体。在第二工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。在第三工序中，向处理区域内供给第二处理气体，而停止向处理区域供给第一和第三处理气体。第三工序具有将由激发机构使之处于激发状态的第二处理气体供给至处理区域的激发期间。在第四工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。 | ||
| 申请公布号 | CN1881541A | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN200510087306.6 | 申请日期 | 2005.07.28 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 长谷部一秀;冈田充弘;周保华;金采虎;小川淳 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01);H01L21/318(2006.01);C23C16/44(2006.01) | 主分类号 | H01L21/314(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体处理用的成膜方法，在能够选择性地供给含有硅烷系气体的第一处理气体和含有氮化气体或者氮氧化气体的第二处理气体以及含有掺杂气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成含有杂质的氮化硅膜或者氮氧化硅膜，其特征在于，该方法交互地包括：向所述处理区域供给所述第一以及第三处理气体的第一工序；停止向所述处理区域供给所述第一、第二以及第三处理气体的第二工序；向所述处理区域供给所述第二处理气体，另一方面，停止向所述处理区域供给所述第一以及第三处理气体的第三工序，其中，所述第三工序包括所述第二处理气体在通过激发机构处于被激发的状态下而向所述处理区域被供给的激发期间；和停止向所述处理区域供给所述第一、第二和第三处理气体的第四工序。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||