| 主权项 |
1.一种高容量宽资料位元静态随机存取记忆体,该静态随机存取记忆体输出、输入资料位元宽为六十四位元,该静态随机存取记忆体至少包括:一晶片,该晶片具有复数个打线垫;一导线架,该导线架至少具有一晶片座及一百个脚位,该些脚位与该晶片之该些打线垫藕接。2.如申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体,其中该导线架之该一百个脚位包括:一个时钟脉冲脚位;十六个位址脚位;六十四个资料输出入脚位;十个写入控制脚位;一个输出控制脚位;一个存取控制脚位;三个同步爆发传输控制脚位;二个电源脚位;以及二个接地脚位。3.如申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体,其中该静态随机存取记忆体爆发传输模式之选择包括利用该静态随机存取记忆体在制程中选择对应之光罩,用以决定爆发传输模式。4.如申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体,其中该静态随机存取记忆体爆发传输模式之选择包括利用该晶片中之多晶矽导线以雷射打断或保留,用以决定爆发传输模式。5.如申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体,其中该静态随机存取记忆体允许无脉冲操作。6.如申请专利范围第2项所述之静态随机存取记忆体,其中该些电源脚位中,每一电源脚位至少与三个打线垫藕接。7.如申请专利范围第2项所述之静态随机存取记忆体,其中该些接地脚位中,每一接地脚位至少与三个打线垫藕接。8.如申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体,其中该静态随机存取记忆体之该晶片具有复数个假内部电源打线垫,该些打线垫与该静态随机存取记忆体之该导线架的该晶片座藕接。9.一种高容量宽资料位元静态随机存取记忆体,该静态随机存取记忆体输出、输入资料位元宽为六十四位元,该静态随机存取记忆体至少包括:一晶片,该晶片具有复数个打线垫;一导线架,该导线架至少具有一晶片座及一百个脚位,该些脚位与该晶片之该些打线垫藕接,其中该一百个脚位包括:一个时钟脉冲脚位;十六个位址脚位;六十四个资料输出入脚位;十个写入控制脚位;一个输出控制脚位;一个存取控制脚位;三个同步爆发传输控制脚位;二个电源脚位;以及二个接地脚位。10.如申请专利范围第9项所述之静态随机存取记忆体,其中该静态随机存取记忆体爆发传输模式之选择包括利用该静态随机存取记忆体在制程中选择对应之光罩,用以决定爆发传输模式。11.如申请专利范围第9项所述之静态随机存取记忆体,其中该静态随机存取记忆体爆发传输模式之选择包括利用该晶片中之多晶矽导线以雷射打断或保留,用以决定爆发传输模式。12.如申请专利范围第9项所述之静态随机存取记忆体,其中该静态随机存取记忆体允许无脉冲操作。13.如申请专利范围第9项所述之静态随机存取记忆体,其中该些电源脚位中,每一电源脚位至少与三个打线垫藕接。14.如申请专利范围第9项所述之静态随机存取记忆体,其中该些接地脚位中,每一接地脚位至少与三个打线垫藕接。15.如申请专利范围第9项所述之静态随机存取记忆体,其中该静态随机存取记忆体之该晶片具有复数个假内部电源打线垫,该些打线垫与该静态随机存取记忆体之该导线架的该晶片座藕接。图式简单说明:第一图所绘示为习知32位元、一百脚位SRAM的脚位配置图。第二图所绘示为习知64位元、一百二十八脚位SRAM的脚位配置图。第三图所绘示为依照本发明一较佳实施例的一种静态随机存取记忆体脚位配置图。第四图所绘示为两组电源/接地脚位采用相同位准之电源/接地脚位分配。第五图所绘示为两组电源/接地脚位采用不同位准之电源/接地脚位分配。 |
