积体电路制造方法

摘要

本发明是提供一种积体电路之制造方法，在上部结构层(86)的表面涂布平滑化膜(140)，平滑地覆盖开口部分(116)的开口端之拐角部分(142)。对平滑化膜(140)进行蚀刻，利用该蚀刻处理削除在平滑化膜(140)的膜厚较薄之开口端露出的拐角部分(142)。藉由此，扩大开口部分(116)的开口端。剥离平滑化膜(140)后，涂布聚醯亚胺膜。利用开口端的扩大，能够防止在开口部分(116)内过厚地积存，聚醯亚胺膜因而可容易地从开口部分(116)除去。由此，在半导体基板上已积层的上部结构层设置有光入射用的开口部分之光检测器的制造中，从开口部分适当地除去为了保护上部结构层的上面之矽氮化膜所涂布的聚醯亚胺膜，例如，能实现对开口部分内的入射光量之均匀化。

主权项

一种积体电路制造方法，其特征为具有下述之步骤：开口部分形成步骤，对在基板上已积层的上部结构层进行蚀刻而形成开口部分；平滑膜堆积步骤，在上述上部结构层的表面，于上述开口部分的开口端之拐角部分堆积厚度变薄的平滑化膜；开口端扩大步骤，实施均可对上述平滑化膜和上述上部结构层进行侵蚀的蚀刻处理，除去从该平滑化膜露出的上述拐角部分，以扩大上述开口端；平滑膜剥离步骤，剥离在上述开口端扩大步骤中之上述蚀刻处理所残存的上述平滑化膜；表面被覆步骤，在上述平滑化膜剥离步骤后对上述上部结构层的表面涂布表面被覆膜；蚀刻遮罩形成步骤，在上述表面被覆膜上形成蚀刻遮罩；以及表面被覆膜蚀刻步骤，采用上述蚀刻遮罩，对上述表面被覆膜进行蚀刻而将其自上述开口部分除去。