| 发明名称 | 一种氧化铜掺杂无铅压电陶瓷及其低温烧结方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氧化铜掺杂无铅压电陶瓷及其低温烧结方法，原料组成为(1‑a)(K<sub>0.5</sub>Na<sub>0.5</sub>)<sub>0.95</sub>Li<sub>0.05</sub>Nb<sub>0.93</sub>Sb<sub>0.07</sub>‑aMZrO<sub>3</sub>‑bCuO,其中a＝0.01～0.05,b＝0.1‑2,本发明采用三步烧结的制备方法，加入氧化铜之后，可在500℃低温条件下烧结成瓷，并获得良好的压电性能，得到一种新型的低温烧结无铅压电陶瓷材料，其压电常数d<sub>33</sub>在烧结温区内变化不大，温度稳定性较好。该方法工艺简单，适用于低温共烧工艺，是一种具有发展前景的可用于多层电容器等领域的无铅压电陶瓷材料。 | ||
| 申请公布号 | CN105777120A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201610134235.9 | 申请日期 | 2016.03.09 |
| 申请人 | 同济大学 | 发明人 | 翟继卫;张杨;沈波;李玲玉;刘百慧 |
| 分类号 | C04B35/495(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/495(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 一种氧化铜掺杂无铅压电陶瓷，其特征在于，原料组成为(1‑a)(K<sub>0.5</sub>Na<sub>0.5</sub>)<sub>0.95</sub>Li<sub>0.05</sub>Nb<sub>0.93</sub>Sb<sub>0.07</sub>‑aMZrO<sub>3</sub>‑bCuO，其中a＝0.01～0.05，b＝0.1‑2。 | ||
| 地址 | 200092 上海市杨浦区四平路1239号 | ||