| 主权项 |
1.一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其适用于一已长有元件的基底,而在该基底上已形成有第一对准标记,包括:依序形成一第一介电层、蚀刻终止层和第二介电层于该基底上,并同时会在该第一对准标记上方的该第一介电层、蚀刻终止层和第二介电层分别形成第二对准标记、第三对准标记和第四对准标记;实施化学机械式研磨,以致使得第四对准标记消失;以及形成一清除窗于该第三对准标记上,以便将该第三对准标记显现出来。2.如申请专利范围第1项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该第一介电层为氧化层。3.如申请专利范围第1项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该第一介电层的厚度大约为1K埃-5K埃。4.如申请专利范围第1项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该蚀刻终止层为一氮化矽层。5.如申请专利范围第1项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该蚀刻终止层的厚度大约100-3,000埃。6.如申请专利范围第1项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该第二介电层为氧化层。7.如申请专利范围第1项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该第二介电层的厚度大约为5K-20K埃。8.如申请专利范围第1项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该第一介电层、蚀刻终止层及第二介电层是利用化学气相沈积法所形成的。9.如申请专利范围第1项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该清除窗是利用微影成像技术和电浆蚀刻法所形成的。10.一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其适用于一已长有元件的基底,而在该基底上已形成有第一对准标记,而包括:形成一金属层于该基底上方,并同时会在该第一对准标记上的该金属层上形成第二对准标记;形成该金属层所需的图案,并同时去除该第一对准标记上的第一金属层;依序形成一第一介电层、蚀刻终止层和第二介电层于该基底上,并同时会在该第一对准标记上方的该第一介电层、蚀刻终止层和第二介电层分别形成第三对准标记、第四对准标记和第五对准标记;实施化学机械式研磨,以致使得第五对准标记消失;以及形成接触窗于该第一介电层中,以及清除窗于第四对准标记上,以便将该第四对准标记显现出来。11.如申请专利范围第10项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,更括形成插塞层于该接触窗内。12.如申请专利范围第10项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该第一介电层为氧化层。13.如申请专利范围第10项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该第一介电层的厚度大约为1K埃-5K埃。14.如申请专利范围第10项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该蚀刻终止层为一氮化矽层。15.如申请专利范围第10项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该蚀刻终止层的厚度大约为100-3,000埃。16.如申请专利范围第10项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该第二介电层为氧化层。17.如申请专利范围第10项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该第二介电层的厚度大约为5K-20K埃。18.如申请专利范围第10项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该第一介电层、蚀刻终止层、及第二介电层是利用化学气相沈积法所形成的。19.如申请专利范围第10项之一种可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程,其中该接触窗和清除窗是利用微影成像技术和电浆蚀刻法所形成的。图式简单说明:第一图是一用来描述对准标记位置所在之晶圆示意图;第二图是一对准标记的剖面示意图;第三图A-第三图H是依据昔知技术可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程之剖面示意图;以及第四图A-第四图I是依据本发明一较佳实施例之可防止在化学机械式研磨后对准标记消失的半导体制程之剖面示意图。 |
