| 主权项 |
1.一种制作多晶矽侧壁子之垂直轮廓的方法,包括下列步骤:提供一半导体矽基底,其表面上包含有两相邻之绝缘结构以及一源极多晶矽层,其中该源极多晶矽层系位于该两相邻之绝缘结构之间,且该源极多晶矽层之顶部制作有一第一氧化层;形成一多晶矽层,以覆盖该半导体矽基底之整个表面;形成一介电层,以覆盖该多晶矽层之整个表面;形成一牺牲层,以覆盖该介电层之整个表面;去除一部份之该牺牲层、介电层以及该多晶矽层,以获得一平坦表面;去除覆盖于该第一氧化层以及该绝缘结构顶部之该多晶矽层,并同时去除该绝缘结构外侧之多晶矽层至一预定深度,以使该绝缘结构凸出于该多晶矽层;去除该牺牲层;于该多晶矽层之暴露表面上形成一第二氧化层;去除该介电层;以及去除未被该第二氧化层覆盖之该多晶矽层,则残留于该第二氧化层下方之该多晶矽层成为一具有垂直轮廓之多晶矽侧壁子。2.如申请专利范围第1项所述之制作多晶矽侧壁子之垂直轮廓的方法,其中每一绝缘结构内嵌埋有一悬置闸极。3.如申请专利范围第1项所述之制作多晶矽侧壁子之垂直轮廓的方法,其中该介电层之材质为氮化矽(SiN)。4.如申请专利范围第1项所述之制作多晶矽侧壁子之垂直轮廓的方法,其中该牺牲层之材质可选用光阻、旋涂式玻璃(SOG)、硼磷矽玻璃(BPSG)、硼矽玻璃(BSG)、底部抗反射涂层(BARC)或TEOS氧化矽。5.如申请专利范围第1项所述之制作多晶矽侧壁子之垂直轮廓的方法,其中去除一部份之该牺牲层、介电层以及该多晶矽层,以获得平坦表面的方法为化学机械研磨(chemical mechanical polishing,CMP)技术。6.如申请专利范围第1项所述之制作多晶矽侧壁子之垂直轮廓的方法,其中该具有垂直轮廓之多晶矽侧壁子系用来作为一控制闸极。7.如申请专利范围第1项所述之制作多晶矽侧壁子之垂直轮廓的方法,另包含有一步骤:去除该第一氧化层以及该第二氧化层,以暴露该源极多晶矽层以及该多晶矽侧壁子之顶部。8.如申请专利范围第1项所述之制作多晶矽侧壁子之垂直轮廓的方法,其中定义该具有垂直轮廓之多晶矽侧壁子的方法为乾蚀刻制程。9.如申请专利范围第1项所述之制作多晶矽侧壁子之垂直轮廓的方法,其中制作多晶矽侧壁子之垂直轮廓的方法系应用于一快闪记忆体之控制闸极制程。图式简单说明:第1A与1B图显示习知控制闸极之制作方法的剖面示意图。第2A至2I图显示本发明制作多晶矽侧壁子之垂直轮廓的方法的剖面示意图。 |
