形成金属线于半导体装置中之方法

摘要

本发明揭示一种在半导体装置中形成一金属线之方法。该方法包括下列步骤：在一要于其中形成一较下方布线的基板上形成于一层间绝缘膜；图案化该层间绝缘膜，以构成一用于形成一较上方布线之孔径单元，该较上方布线连接至该较下方布线；在一既定温度下将要于其中形成该孔径单元的该半导体基板冷却；使用一氢还原反应来实施一清洁制程，以便去除形成于该孔径单元侧壁上的聚合物及一形成于该较下方布线上的金属氧化物；在一用于实施该清洁制程之处理室原处实施一退火制程；以及使用一导电材料来埋藏该孔径单元以形成一较上方布线。