| 摘要 |
本发明揭示一种覆晶积体电路及其制造方法。一种根据本发明之方法包含：在晶圆上形成复数个主动半导体元件，并分离该等主动半导体元件。在电路基板之表面上形成被动组件及互连，且形成至少一个传导通路穿过该电路基板。将该等主动半导体元件中的至少一个元件覆晶安装于该电路基板之上，并使结合衬垫中的至少一个结合衬垫与传导通路中的一个电接触。根据本发明之覆晶积体电路包含在其一表面上具有被动组件及互连的电路基板，且可具有穿过该基板的传导通路。将一主动半导体元件覆晶安装于电路基板上，使该等至少一个通路中的一通路与该至少一个元件的端子之其中之一相接触。本发明尤其适用于成长于SiC基板上的以第III族氮化物为主的主动半导体元件。接着可在一成本较低，直径较大的由GaAs或Si制成的晶圆上形成被动组件及互连。在分离后，可将第III族元件覆晶安装于GaAs或Si基板上。 |
