| 摘要 |
一种多层半导体晶圆结构定义有闲置区域，其乃为限制测试键设置的区域。第一切割道与第二切割道系定义一晶片之转角点，且第一切割道与第二切割道系为一多层结构，且多层结构中的至少一层为低介电常数之介电层。一闲置区域系定义于该第一切割道上，且该闲置区域的面积A1以下列公式定义：A1=D1xS1，其中D1系代表自该晶片之转角点起朝向该晶片之主要区域且沿该第一切割道延伸的距离，S1系代表该第一切割道的宽度。另一闲置区域系定义于该第一切割道与该第二切割道之交错处，且该闲置区域的面积As以下列公式定义：As=S1xS2，其中S2系代表该第二切割道的宽度。 |
