发明名称 形成铁电随机存取记忆体之电容之方法
摘要 一种形成FeRAM之电容器的方法。在FeRAM电容器之形成制程中隔离出储存电极时,所揭示之方法使用含有机酸之酸性研磨浆进行CMP制程,故可避免在使用硷性研磨浆之CMP制程中之回蚀制程及Pt层之刮痕造成的阶梯差距。
申请公布号 TW200411839 申请公布日期 2004.07.01
申请号 TW092117827 申请日期 2003.06.30
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 宋曙荣;李相益
分类号 H01L21/8239 主分类号 H01L21/8239
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国