| 主权项 |
1.一种红外线发光元件用磊晶晶圆,其系在n型GaAs基板上,第1n型Ga1-x1 A1x1As层(0<X1<1),第2n型Ga1-x2 A1x2As层(0<X2<1),n型Ga1-x3 A1x3As包覆层(0<X3<1),发光波长为位于850~900nm范围内之p型Ga1-x4 A1x4As活性层(0<X4<1),p型Ga1-x5 A1x5As包覆层(0<X5<1)以液相磊晶成长法依序积层之后,包括去除n型GaAs基板所形成之上述5层之红外线发光元件用磊晶晶圆者,其特征为;p型Ga1-x5A1x5As包覆层之层厚为位于5~30m之范围内,p型GaA1As包覆层中之氧浓度为31016原子/cm3以下。2.如申请专利范围第1项之红外线发光元件用磊晶晶圆,其中p型Ga1-x5 A1x5As包覆层之载体浓度为11017~11018cm3之范围内。3.如申请专利范围第1或2项之红外线发光元件用磊晶晶圆,其中;p型Ga1-x4A1x4As活性层之层厚为位于0.05 ~ 0.4m之范围内。4.如申请专利范围第1项或第2项之红外线发光元件用磊晶晶圆,其中;从第2n型Ga1-x2A1x2As层与第1n型Ga1-x1A1x1As层之界面,向第2n型Ga1-x2A1x2As层侧位于2m以内领域之碳浓度之极大値为未满11017原子/cm3。5.如申请专利范围第1项或第2项之红外线发光元件用磊晶晶圆,其中;p型Ga1-x4A1x4As活性层之主要杂质为锗,n型Ga1-x3A1x3As包覆层中之锗浓度为31016原子/cm3以下。6.如申请专利范围第1项或第2项之红外线发光元件用磊晶晶圆,其中;第2n型Ga1-x2A1x2As层中之锗浓度为31016原子/cm3以下。图式简单说明:第1图系表示包括依本发明之磊晶结构之GsAs基板之概略图。第2图系表示使用p型GaAs基板时之磊晶结构之例。第3图系表示实施本发明所使用之滑动螺杆成膜装置之概略图。第4图系表示p型GaA1As包覆层之层厚与LED发光输出之关系。第5图为表示p型GaA1As包覆层中之氧原子浓度与LED发光输出之关系。第6图系表示p型GaAlAs活性层之层厚与LED发光输出之关系。第7图系表示第1n型GaA1As层与第2n型GaA1As层界面之碳原子浓度之轮廓。第8图系表示第2n型GaA1As层之第1n型GaA1As层界面附近之碳原子尖峰浓度,与LED之闸流体不良发生率之关系。第9图系表示n型GaA1As包覆层中之Ge原子浓度与LED发光输出之关系。第10图系表示第2n型GaA1As层中之Ge原子浓度与LED发光输出之关系。 |
