发明名称 Isolating phase change memory devices
摘要 A phase change memory may be made using an isolation diode in the form of a Schottky diode between a memory cell and a word line. The use of Schottky diode isolation devices may make the memory more scaleable in some embodiments.
申请公布号 US7271403(B2) 申请公布日期 2007.09.18
申请号 US20020319183 申请日期 2002.12.13
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 KARPOV ILYA;PARKINSON WARD;LEE SEAN
分类号 H01L47/00;H01L27/24 主分类号 H01L47/00
代理机构 代理人
主权项
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