| 发明名称 |
SENSOR ELEMENT |
| 摘要 |
센서 소자는 검출될 물리량에 민감한 전계효과 트랜지스터(10)로 이루어진다. 상기 트랜지스터(10)의 게이트 전극(20)은 플로팅 게이트로서 구현된다. 그러므로, 센서 소자에는 센서 셀과 비휘발성 메모리가 내장된다. 트랜지스터의 동작점은 상부에 비휘발적으로 전하가 저장된 플로팅 게이트(20)를 이용하여 영구적으로 조정할 수 있다. 또한, 검출된 물리량에 해당하는 전하를 간단한 회로를 통하여 플로팅 게이트(20) 상에 비휘발적으로 저장할 수 있다. |
| 申请公布号 |
KR100319057(B1) |
申请公布日期 |
2001.12.29 |
| 申请号 |
KR19997004212 |
申请日期 |
1999.05.12 |
| 申请人 |
null, null |
发明人 |
아스람,아메르;호스틱카,베드리히;브로크헤르더,베르너;샨츠,미카엘 |
| 分类号 |
G01L1/18;G01P15/12;H01L27/14;H01L31/10;H01L31/113 |
主分类号 |
G01L1/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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