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<p>본 발명은 복수의 센스 앰프 열과 그들 복수의 센스 앰프 열 중의 하나와 도통 가능한 복수의 메모리 셀을 구비하는 메모리 블럭을 포함하는 반도체 장치에 관한 것으로, 로우 동작과 컬럼 동작의 동시 실행을 가능하게 하는 것을 목적으로 한다. 센스 앰프 열(76, 78)과 메모리 어레이(66)가 교대로 배치된다. 로우 어드레스의 지정과 더불어, 적당한 열에 속하는 메모리 셀을 센스 앰프 열(76)에 접속하고, 그 센스 앰프 열(76)을 활성화시킨다. 센스 앰프(16)와 데이터선쌍(45, 58) 사이에 데이터선 접속 트랜지스터(44, 56)를 마련한다. 컬럼 어드레스의 지정에 따라 발생하는 컬럼 선택 신호와, 센스 앰프(16)의 활성화 신호 SON을 입력 신호로 하는 AND 회로(102)를 마련한다. AND 회로(102)의 출력을 서브 컬럼 선택선(104)을 거쳐서 상기 트랜지스터(44, 56)에 공급한다.</p> |
