| 主权项 |
1.一种穿透式电子显微镜钨栓试片之制作方法,系应用于制作一精准牢固的钨栓细薄试片,以供穿透式电子显微镜迳行钨栓之组成观察,其步骤包括有:a.选取一至少包含一钨栓之晶片样品;b.将该晶片样品中一钨栓定位;c.分别以一适当距离,于该钨栓之左右两侧,选取二相对应位置;d.运用一精密切削法,于该二相对应位置上,以同于该钨栓直立之方向,向下各切削出一补强穴;e.以一金属填充料将该二补强穴填实;f.以一精密铣切法进行该晶片样品一侧边之研磨,其研磨进给方向系垂直于该钨栓及左右二补强穴之连线,其研磨包括该钨栓及二补强穴内之金属填充料;g.待研磨至该钨栓之近中心轴位置时,即行中止该晶片样品这一侧边之研磨;h.重复步骤f,将该晶片样品之另一侧边研磨,至该晶片样品成一可供穿透式电子显微镜观察之细薄试片时为止;i.穿透式电子显微镜钨栓试片之制作完成。2.如申请专利范围第1项所述之穿透式电子显微镜钨栓试片之制作方法,其中步骤d所述之精密切削法系为聚焦离子束切削法。3.如申请专利范围第1项所述之穿透式电子显微镜钨栓试片之制作方法,其中步骤e所述之金属填充料系为铂金属者。4.如申请专利范围第1项所述之穿透式电子显微镜钨栓试片之制作方法,其中步骤f所述之精密铣切法系为聚焦离子束切削法。5.一种穿透式电子显微镜钨栓试片之制作方法,系应用参考标记于制作一精准牢固的钨栓细薄试片,以供穿透式电子显微镜迳行钨栓之组成观察,其步骤包括有:a.选取一至少包含一钨栓之晶片样品;b.将该晶片样品中一钨栓定位;c.分别以一适当距离,于该钨栓之左右两侧、且位于同一直线位置上,选取至少一位置;d.运用一精密切削法,于该至少一位置上,以同于该钨栓直立之方向,向下各切削出类同该钨栓尺寸之标记孔;e.再以一小于该钨栓至该标记孔之适当距离,于该钨栓之左右两侧分别各选取一与该钨栓与该标记孔位于同一直线上之中间位置;f.以精密切削法于该二中间位置上,以同于该钨栓直立之方向,向下各切削出一补强穴;g.以一金属填充料将步骤d之该标记孔及步骤f之该二补强穴填实;h.再以一精密加工法分别由该晶片表面深入加工一榭形槽连接至该填实标记孔,使该填实标记孔之位置可由晶片外观察到;i.以一精密铣切法进行该晶片样品一侧边之研磨,其研磨进给方向系垂直于该钨栓、左右二补强穴、及该标记孔之连线,其研磨包括该钨栓及二补强穴内之金属填充料;j.由该榭形槽观察进给深度,待研磨至该标记孔时,即行中止该晶片样品这一侧边之研磨;k.重复步骤i,将该晶片样品之另一侧边研磨,至该晶片样品成一可供穿透式电子显微镜观察之细薄试片时为止;l.穿透式电子显微镜钨栓试片之制作完成。6.如申请专利范围第5项所述之穿透式电子显微镜钨栓试片之制作方法,其中步骤d所述之精密切削法系为聚焦离子束切削法。7.如申请专利范围第5项所述之穿透式电子显微镜钨栓试片之制作方法,其中步骤g所述之金属填充料系为铂金属者。8.如申请专利范围第5项所述之穿透式电子显微镜钨栓试片之制作方法,其中步骤h所述之精密加工法系为聚焦离子束切削法。9.如申请专利范围第5项所述之穿透式电子显微镜钨栓试片之制作方法,其中步骤i所述之精密铣切法系为聚焦离子束切削法。图示简单说明:第一图系为一显示有二钨栓之晶片剖面示意图。第二图系为制作钨栓试片之晶片立体示意图。 |
