| 主权项 |
1.一种半导体装置,系具备有:半导体基板;形成于该半导体基板上之第1闸极绝缘膜以及第1闸极电极;形成于前述半导体基板上、并以朝着前述第1闸极绝缘膜及前述第1闸极电极之延伸方向平行延伸之方式设置之第2闸极绝缘膜以及第2闸极电极;以覆盖前述第1闸极绝缘膜以及前述第1闸极电极之表面的方式形成之第1绝缘膜;以覆盖前述第2闸极绝缘膜以及前述第2闸极电极之表面的方式形成之第2绝缘膜;以及在前述第1绝缘膜以及前述第2绳缘膜之表面所形成之接触孔内与前述半导体基板之杂质扩散领域连接之接触柱塞,前述接触柱塞,其在与前述半导体基板之主表面平行之方向的面积,系上表面大于下表面。2.一种半导体装置之制造方法,系包括:在半导体基板上形成做为闸极绝缘膜之第1绝缘膜之步骤;在该第1绝缘膜上形成做为闸极电极之导电性膜之步骤;于该导电性膜上形成做为硬质遮罩之第2绝缘膜之步骤;于该第2绝缘膜上形成预定图案之第1阻剂膜之步骤;以该第1阻剂膜做为遮罩,而从前述第2绝缘膜之上表面去除预定深度之部分,并于前述第2绝缘膜上形成朝着离开前述半导体基板之主表面之方向突出之部分之步骤;去除前述第1阻剂膜之步骤;于前述突出之部分之上表面上,形成宽度小于该上表面之宽度之第2阻剂膜之步骤;以前述第2阻剂膜做为遮罩,藉由蚀刻前述第2绝缘膜,使前述导电性膜之表面露出,而形成凸型之硬质遮罩之步骤;以及以该凸型之硬质遮罩做为遮罩,藉由蚀刻前述导电性膜以及前述第1绝缘膜,而使前述半导体基板露出之步骤。3.一种半导体装置之制造方法,系包括:于半导体基板上形成做为闸极绝缘膜之第1绝缘膜之步骤;于该第1绝缘膜上形成做为闸极电极之导电性膜之步骤;于该导电性膜上形成做为硬质遮罩之第2绝缘膜之步骤;于该第2绝缘膜上形成多晶矽膜之步骤;于该多晶矽膜之上形成预定图案之阻剂膜之步骤;以该阻剂膜做为遮罩,藉由异向性蚀刻前述多晶矽膜,使前述第2绝缘膜露出之步骤;以前述阻剂膜以及经过前述异向性蚀刻之多晶矽膜做为遮罩,藉由等向性蚀刻前述第2绝缘膜,而在经过前述异向性蚀刻之多晶矽膜之下侧之前述第2绝缘膜上形成突起部之步骤;以前述阻剂膜以及经过前述异向性蚀刻之多晶矽膜做为遮罩,藉由异向性蚀刻前述第2绝缘膜,使前述第2绝缘膜形成凸型之步骤;以及去除前述阻剂膜及经过前述异向性蚀刻之多晶矽膜之步骤。图式简单说明:第1图系用以说明第1实施形态之半导体装置之构造之图。第2图系用以说明第1实施形态之半导体装置之制造方法之图。第3图系用以说明第1实施形态之半导体装置之制造方法之图。第4图系用以说明第1实施形态之半导体装置之制造方法之图。第5图系用以说明第1实施形态之半导体装置之制造方法之图。第6图系用以说明第1实施形态之半导体装置之制造方法之图。第7图系用以说明第1实施形态之半导体装置之制造方法之图。第8图系用以说明第1实施形态之半导体装置之制造方法之图。第9图系用以说明第1实施形态之半导体装置之制造方法之图。第10图系用以说明第1实施形态之半导体装置之制造方法之图。第11图系用以说明第1实施形态之半导体装置之制造方法之图。第12图系用以说明第1实施形态之半导体装置之制造方法之图。第13图系用以说明第1实施形态之半导体装置之制造方法之图。第14图系用以说明第1实施形态之半导体装置之制造方法之图。第15图系用以说明第1实施形态之半导体装置之制造方法之图。第16图系用以说明第2实施形态之半导体装置之构造之图。第17图系用以说明第2实施形态之半导体装置之制造方法之图。第18图系用以说明第2实施形态之半导体装置之制造方法之图。第19图系用以说明第2实施形态之半导体装置之制造方法之图。第20图系用以说明第2实施形态之半导体装置之制造方法之图。第21图系用以说明第2实施形态之半导体装置之制造方法之图。第22图系用以说明第2实施形态之半导体装置之制造方法之图。第23图系用以说明第2实施形态之半导体装置之制造方法之图。第24图系用以说明第2实施形态之半导体装置之制造方法之图。第25图系用以说明第2实施形态之半导体装置之制造方法之图。第26图系用以说明第2实施形态之半导体装置之制造方法之图。第27图系用以说明第2实施形态之半导体装置之制造方法之图。第28图系用以说明第2实施形态之半导体装置之制造方法之图。第29图系用以说明第2实施形态之半导体装置之制造方法之图。第30图系用以说明第2实施形态之半导体装置之制造方法之图。 |
