长成植基于结晶性氮化镓化合物之制程及包含植基于氮化镓化合物的半导体元件

摘要

一种形成一植基于结晶性氮化镓化合物的方法中，在一第一制程温度形成一第一成核层于一基材上，然后在一第二制程温度形成一第二成核层于第一成核层上，其中第二制程温度不同于第一制程温度，且第一及第二成核层由AlxInyGa(1–x–y)N所组成。然后，将一植基于结晶性氮化镓层磊晶长成于第二成核层上。