非挥发性记忆元件之制造方法

摘要

本发明中的非挥发性记忆元件的制造方法，包括：第一步骤，在层间绝缘膜上形成黏附层，以建立与下电极之电连接；第二步骤，在该黏附层上形成包含相变材料的记录层；第三步骤，形成上电极，其电连接至该记录层；及第四步骤，使位于至少该下电极与该记录层之间的部分黏附层进行扩散进入该记录层内。