离子注入机中的离子束

摘要

本发明涉及一种调节诸如可用在半导体器件制造中的离子注入机中的离子束的方法。存在许多与离子注入机的操作相关的操作参数，这些操作参数影响到达晶片的离子束。控制这些参数允许对离子束进行调节，以提供用于任何特定注入的最佳离子束电流、能量、大小和形状。本发明提供了一种调节离子束的方法，包括：检索一组参数，这组参数中至少一些参数被存储在动态数据库中；根据检索的这组参数来配置该离子注入机从而提供离子束；通过改变一个或多个所述参数来优化所述离子束；以及对所述动态数据库中存储的、在优化期间变化的所述参数进行更新。

主权项

1.一种调节离子注入机中的离子束的方法，其中所述离子束取决于该离子注入机的多个操作参数，所述方法包括：检索一组操作参数，这组参数中的至少一些参数被存储在动态数据库中；根据所检索的这组操作参数来配置所述离子注入机，从而提供离子束；通过改变一个或多个所述操作参数来优化所述离子束；以及对所述动态数据库中存储的、在优化期间变化的所述操作参数进行更新。