图型之形成方法及形成光阻下层膜用组成物

摘要

明之目的系提供一种可形成具有作为抗反射膜之功能，同时图型转印性能及蚀刻耐性良好之光阻下层膜之光阻下层膜形成用组成物，及使用彼等之图型形成方法。本发明之图型形成方法具备下列步骤：(1)于被加工基板上，利用特定之光阻下层膜形成用组成物形成光阻下层膜之步骤，(1’)于光阻下层膜上形成中间层之步骤，(2)于形成中间层之光阻下层膜上涂布光阻组成物，形成光阻被膜之步骤，(3)于光阻被膜上选择性照射辐射线，使该光阻被膜曝光之步骤，(4)使经曝光之光阻被膜显像，形成光阻图型之步骤，及(5)使用光阻图型作为遮罩，乾蚀刻中间层、光阻下层膜及被加工基板，于被加工基板上形成特定图型之步骤。

主权项

一种图型形成方法，其系具备下列步骤之图型形成方法：(1)于被加工基板上，利用光阻下层膜形成用组成物形成光阻下层膜之光阻下层膜形成步骤，(1’)于前述光阻下层膜上形成中间层之中间层形成步骤，(2)于形成前述中间层之光阻下层膜上涂布光阻组成物，形成光阻被膜之光阻被膜形成步骤，(3)于前述光阻被膜上选择性照射辐射线，使该光阻被膜曝光之曝光步骤，(4)使经曝光之前述光阻被膜显像，形成光阻图型之光阻图型形成步骤，及(5)使用前述光阻图型作为遮罩，乾蚀刻前述中间层、前述光阻下层膜及前述被加工基板，于该被加工基板上形成特定图型之图型形成步骤，其特征为前述光阻下层膜形成用组成物含有(A)基材成分，及(B)具有以下述通式(i)表示之部分构造之交联剂：

[通式(i)中，X表示氧原子、硫原子或-NR-(但，R表示氢原子、碳数1~9之烷基或碳数6~30之芳基)，X以复数存在时可分别相同亦可不同，n1表示1~6之整数，R1表示氢原子、碳数1~9之烷基或碳数6~30之芳基，R1以复数存在时可分别相同亦可不同]，且前述光阻下层膜之氢含量为0~35atom%。