| 摘要 |
복사 방출 반도체칩(1)이 기술되며, 상기 반도체칩은 캐리어(5), 및 반도체층 시퀀스를 구비한 반도체 몸체(2)를 포함한다. 반도체층 시퀀스는 복사의 생성을 위해 제공된 활성 영역(20), 제1반도체층(21) 및 제2반도체층(22)을 포함한다. 활성 영역은 제1반도체층과 제2반도체층 사이에 배치된다. 제1반도체층은 캐리어를 등지는 활성 영역의 면에 배치된다. 반도체 몸체는 적어도 하나의 리세스(25)를 포함하고, 상기 리세스는 활성 영역을 관통하여 연장된다. 제1반도체층은 제1연결층(31)과 전기 전도적으로 연결되고, 이 때 제1연결층은 리세스에서 제1반도체층으로부터 캐리어의 방향으로 연장된다. 제1연결층은 보호 다이오드(4)에 의해 제2반도체층과 전기적으로 연결된다. 또한, 복사 방출 반도체칩의 제조 방법도 기술된다. |
