| 摘要 |
표면 및 이면에 티탄 함유막이 형성된 기판의 이면으로부터 티탄 함유막을 제거할 때에, 기판의 이면에 잔류하는 티탄 원소를 종래부터 짧은 시간에 제거할 수 있는 액 처리 방법을 제공한다. 본 발명은 처리액에 의해 기판의 이면을 처리하는 액 처리 방법으로, 회전 가능하게 설치되고 기판을 지지하는 지지부에 의해, 표면 및 이면에 티탄 함유막이 형성되어 있는 기판을 지지하고, 지지부에 지지되어 있는 기판을, 지지부와 함께 회전시키고, 회전하는 기판의 이면에 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액을 공급하고, 공급한 제1 처리액에 의해 기판의 이면을 처리하는 제1 공정(S11)과, 제1 공정(S11) 후에, 회전하는 기판의 이면에 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액을 공급하고, 공급한 제2 처리액에 의해 기판의 이면을 처리하는 제2 공정(S12)을 포함한다. |
