| 主权项 |
1. 一种半导体元件的制造方法,其步骤系包含:在一面矽基板内形成一个井区;在该井区内形成一个源极区和一个汲极区;在该源极区和汲极区之间的井区上,连续形成闸极氧化层和闸极,而形成一个电晶体;蚀去该矽基板选定的部位,形成一个沟槽;并且在形成该沟槽后的结构上形成一层介层绝缘膜,因而在该沟槽内形成一层元件隔绝膜。2. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该沟槽位在该井区边的矽基板内。3. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该沟槽是以非均向性蚀刻制程形成的。图示简单说明:图1A至图1E的元件横剖面图说明了本发明之制造电晶体元 |
