| 主权项 |
1. 一种在物品表面上形成材料层之方法,该表面中具有凹部例如孔洞或沟槽,包含以下步骤即沈积一材料层至表面上使得该材料层覆盖凹部之口部并留下封闭口部下侧之空隙,以及接着在不提高其温度下,使物品及沈积层接受一足够高之压力以使材料层变形进入凹部内。2.如申请专利范围第1项之方法,其中物品为一半导体晶片。3. 如申请专利范围第1或2项之方法,其中沈积在物品表面上之材料为铝或铝合金。4. 如申请专利范围第3项之方法,其中沈积材料为具有成份为Al/0-2%Si/0-4% Cu/0-2% Ti之铝合金。5. 如申请专利范围第1项之方法,其中物品及沈积层所接受之压力大于20010@su6Pa(30,000p.s.i)。6. 如申请专利范围第5项之方法,其中物品及沈积层所接受之压力大于70010@su6Pa(10,000p.s.i)。7. 如申请专利范围第1项之方法,其中材料层系利用喷镀技术而沈积至物品表面上。8. 如申请专利范围第1项之方法,其中物品于沈积材料层至物品表面上期间系接受一高温。9. 如申请专利范围第1项之方法,其中接受高压之物品及沈积层系利用一受压液体而达成。10. 一种在物品表面上形成材料层之方法,该表面中具有凹部例如孔洞或沟槽,包含以下步骤即沈积一材料层至表面上使得该材料层覆盖凹部之口部并留下封闭口部下侧之空隙,以及接着至少沈积层之外露表面接触一受压液体以使材料层变形进入凹部内。11. 如申请专利范围第9或10项之方法,其中受压液体为一不会在其与物品及沈积层接触后将残余物留在物品上的液体。12. 如申请专利范围第11项之方法,其中受压液体为一实质未包含溶解固体之液体。13. 如申请专利范围第9或10项之方法,其中受压液体为一液体而该液体容许在其与物品及沈积层接触后自物品处蒸发。14. 如申请专利范围第9或10项之方法,其中受压液体为乙醇。15. 如申请专利范围第9或10项之方法,其中受压液体为液态二氧化碳。16. 如申请专利范围第9或10项之方法,其中受压液体为水。17. 如申请专利范围第10项之方法,其中物品为半导体晶片。18. 如申请专利范围第10项之方法,其中物品及沈积层系接受高温并接触受压液体。19. 如申请专利范围第18项之方法,其中物品及沈积层所接受之高温系介于350℃与400℃之间,且受压液体所处之压力大于2010@su6Pa(3,000p.s.i)。20. 一种在物品表面上形成材料层之方法,该表面中具有凹部例如孔洞或沟槽,该方法包含以下步骤即利用磁控管喷镀沈积一材料层至表面上使得材料由一大角度范围流至物品表面处,并加热该物品以增加沈积材料之移动性。21. 如申请专利范围第20项之方法,其中沈积材料为一铝合金且采用一介于350℃与450℃间之压板(platen)温度。22. 一种用以在物品表面上形成材料层之装置,该表面具有凹部例如孔洞或沟槽,该装置包含一沈积一材料层至表面上之装置使得该材料层覆盖凹部之口部并留下封闭口部下侧之空隙,以及一加压装置其接着使物品与沈积层接受一足够高之压力以使材料层变形进入凹部内。23.如申请专利范围第22项之装置,其中该加压装置包含一装置其至少使沈积层之外露表面接触一受压液体。图示简单说明:第1图显示本发明形成材料层之前之半导体晶片的横截面图;第2图显示第1图之晶片在依据本发明形成材料层之中间阶段之横截面图;以及第3图显示材料层完成后之晶片横截面视图;第4图显示曝露在高压后之晶片横截面视图;第5图系相关于第2图之截面图但仅为形成薄膜期间采用较高温度时;第6图系实施本发明之装置示意平面视图;以及第7图系第6图装置之零件示意截面图,该零件使物品接受高压,此零件亦可在使用本发明第二观点之方法时使物品 |
