发明名称 MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS
摘要 <P>L'INVENTION CONCERNE UNE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>CETTE MEMOIRE COMPORTE DES RESEAUX DE MEMOIRE M-ARY-M-ARY SITUES SUR UNE MICROPLAQUETTE IC ET COMPORTANT DES CELLULES DE MEMOIRE RELIEES A DES LIGNES DE TRANSMISSION DE DONNEES ET DES RESEAUX DE CELLULES FICTIVES DSA-DSA AINSI QUE DES AMPLIFICATEURS DE DETECTION SA, DES DECODEURS X-DCR, X-DCR, Y-DCR, Y-DCR ACCOUPLES AUX LIGNES DE TRANSMISSION DE DONNEES, LES CELLULES FICTIVES DS ETANT ACTIVEES DE MANIERE A DETERMINER UN POTENTIEL DE REFERENCE DEVANT ETRE ENVOYE AUX AMPLIFICATEURS SA.</P><P>APPLICATION NOTAMMENT AUX MEMOIRES MORTES MONOLITHIQUES A CIRCUITS INTEGRES A SEMI-CONDUCTEURS.</P>
申请公布号 FR2521761(A1) 申请公布日期 1983.08.19
申请号 FR19820021896 申请日期 1982.12.28
申请人 HITACHI LTD 发明人 TAKASHI SHINODA ET OSAMU SAKAI;SAKAI OSAMU
分类号 G11C29/00;G06F11/10;G11C7/00;G11C17/00;G11C17/12;G11C29/42;(IPC1-7):G11C17/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人
主权项
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