摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UNE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>CETTE MEMOIRE COMPORTE DES RESEAUX DE MEMOIRE M-ARY-M-ARY SITUES SUR UNE MICROPLAQUETTE IC ET COMPORTANT DES CELLULES DE MEMOIRE RELIEES A DES LIGNES DE TRANSMISSION DE DONNEES ET DES RESEAUX DE CELLULES FICTIVES DSA-DSA AINSI QUE DES AMPLIFICATEURS DE DETECTION SA, DES DECODEURS X-DCR, X-DCR, Y-DCR, Y-DCR ACCOUPLES AUX LIGNES DE TRANSMISSION DE DONNEES, LES CELLULES FICTIVES DS ETANT ACTIVEES DE MANIERE A DETERMINER UN POTENTIEL DE REFERENCE DEVANT ETRE ENVOYE AUX AMPLIFICATEURS SA.</P><P>APPLICATION NOTAMMENT AUX MEMOIRES MORTES MONOLITHIQUES A CIRCUITS INTEGRES A SEMI-CONDUCTEURS.</P>
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