| 发明名称 |
Semiconductor memory device with twisted bit lines |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Halbleiterspeicheranordnung mit Wortleitungen (WL1 bis WL5) und Bitleitungen (BL1 bis BL5), bei der twistfreie Bitleitungen (BL3, BL4, BL7, BL8) mit Dummy-Kontakten (8 bis 11) versehen sind, die zu der Wortleitungsebene führen, so daß die Wortleitungen eine homogene Umgebung haben. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP1032043(A2) |
申请公布日期 |
2000.08.30 |
| 申请号 |
EP20000103078 |
申请日期 |
2000.02.15 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
FEURLE, ROBERT;MANDEL, SABINE;SAVIGNAC, DOMINIQUE, DR.;SCHEIDNER, HELMUT |
| 分类号 |
G11C7/18;H01L21/8242;H01L23/522;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/824 |
主分类号 |
G11C7/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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