金属薄膜形成方法

摘要

一种金属膜形成的方法包括如下步骤：形成一层主要由铝构成的非单晶金属膜，其一部分至少与以铝为主要成分的单晶金属相接触；加热所述非单晶金属膜使其至少一部分变成单晶态。

主权项

1.半导体装置的金属薄膜形成法，该方法包括，在半导体基片的主表面上形成绝缘膜的工序，在该绝缘膜上设置开孔部分以使上述半导体表面露出的工序，在上述开孔部分内淀积由以Al作为主要成为的第1金属构成的单晶的工序，在由上述第1金属构成的单晶上和上述绝缘膜上形成以Al作为主要成分的第2金属薄膜的工序，以及加热以第1金属构成的单晶作为籽晶的上述第2金属薄膜，以使其至少一部分单晶化的工序，根据利用甲基氢化铝CVD法在所述开孔内选择性地淀积第一金属构成的单晶，因而整平第一金属构成的单晶表面和所述绝缘膜的工序。