一种用电场诱导铌酸锂铁电薄膜取向生长的方法及装置

摘要

本发明涉及一种控制铁电薄膜取向生长技术。本发明基于铌酸锂具有自发极化这一事实提出了用外加电场诱导铌酸锂薄膜取向生长的方法。在薄膜生长系统中垂直于薄膜的方向施加一个低电场，使生长中的薄膜铁电畴沿电场方向取向排列，从而达到取向生长目的。可以用脉冲激光闪蒸法、化学气相沉积、磁控溅射等多种技术实现这一方法。本发明施加电场和薄膜生长合二为一，两者原位同步进行。所需的电场可以是极低的，在１０Ｖ／ｃｍ量级。

主权项

1．一种用低电场诱导铌酸锂铁电薄膜取向生长的方法，其特征是在真空蒸发、溅射生长的室内生长铌酸锂薄膜，并垂直于生长薄膜的方向施加一个电场，电场以下述方式施加，即上电极采用金属丝网，下电极为金属衬底台，金属衬底台上设有衬底，生长中的铌酸锂薄膜铁电畴沿电场方向排列，从而达到取向生长，电场强度为2-20V／cm。