| 主权项 |
1.一种在积体电路装置之主动电路完成引线连接之方法,包含下列步骤:提供一层聚醯亚胺材料,相对于主动电路成覆盖关系;将一接合片敷着在聚醯亚胺层上,与主动电路相对;将接合片通过聚醯亚胺层电连接至主动电路;以及将引线接合至接合片。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中上述引线接合步骤包括在至少100千赫频率操作一接合换能器。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中聚醯亚胺层之弹性模量约在6-13GPa之范围。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中聚醯亚胺层之热膨胀系数在310@su-@su6至1010@su-@su6寸/寸/℃之范围。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中聚醯亚胺层之厚度约在3至6微米之范围,及介质常数约为3。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中上述连接步骤包括在聚醯亚胺层提供一延伸穿过聚醯亚胺层之贯通开口,并且将一延伸穿过开口并终止为主动电路电接触之电导体置于开口中。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中引线系由金作成。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中上述接合步骤包括在至少100千赫频率操作一接合换能器。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中聚醯亚胺层之弹性模量约在6-13GPa之范围。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中聚醯亚胺层之热膨胀系数在310@su-@su6至1010@su-@su6寸/寸/℃之范围。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中聚醯亚胺层之厚度约在3至6微米之范围,及介质常数约为3。12.一种制造积体电路之方法,包含:提供一层聚醯亚胺,相对于主动电路成覆盖关系;将许多接合片敷着在聚醯亚胺层上,与主动电路相对;将诸接合片通过聚醯亚胺层电连接至主动电路;将许多引线分别接合至接合片;以及将一种密封剂模制至聚醯亚胺层,接合片及引线。13.一种积体电路装置,包含:一主动电路;一层聚醯亚胺材料,配置为相对于该主动电路成覆盖关系;许多接合片敷着在聚醯亚胺层上,该聚醯亚胺层插置于主动电路与接合片之间,诸接合片通过聚醯亚层电连接至主动电路;以及许多引线,用以将上述诸接合片连接至一引线结构,每一引线有一加大之接合端接合至个别之接合片。14.根据申请专利范围第13项之积体电路装置,其中聚醯亚胺层上有许多贯通开口以允许上述主动电路电连接至个别接合片,并且包括许多电导体分别设于贯通开口中,该等电导体电连接至个别接合片,并延伸穿过各别贯通开口,以终止为与主动电路接触,并且一种密封剂模制至聚醯亚胺层,接合片及引线。15.根据申请专利范围第14项之积体电路装置,其中上述诸接合片配置为与个别电导体成覆盖关系。16.根据申请专利范围第15项之积体电路装置,其中上述诸接合片配置为与个别电导体成非覆盖关系。17.根据申请专利范围第13项之积体电路装置,其中聚醯亚胺层之弹性模量至少约为6GPa。18.根据申请专利范围第13项之积体电路装置,其中聚醯亚胺层之热膨胀系数约在310@su-@su6至1010@su-@su6寸/寸/℃之范围。19.根据申请专利范围第13项之积体电路装置,其中聚醯亚胺层之厚度约在3至6微米之范围,及介质常数约为3。20.根据申请专利范围第13项之积体电路装置,包括一插置于上述主动晶片与聚醯亚胺层间之保护性外套层,该外套层为氮化矽材料及氧化矽材料之一。图示简单说明:图1为一种体现本发明之积体电路装置之片段剖面图;图2为片段剖面图,示图1之接合片之一种替代性配置;图3为一接合换能器之正视图,其为用之作成图1及2之引线连接之接合设备之一部份;以及 |
