| 主权项 |
1.一种用以在晶圆上沉积薄膜的装置,其包括一反应器区块110,其中放置着晶圆w;一晶圆区块120,其系被安装于该反应器区块110之中,用以安置该晶圆w;一顶盘130,其系耦合用以覆盖该反应器区块110;一第一供应线151,用以传送欲供应给该晶圆w的第一反应气体及/或钝性气体;一第二供应线156,用以传送欲供应给该晶圆w的第二反应气体及/或钝性气体;以及一喷嘴140,其系安装于该顶盘130中,其具有多个第一及第二喷孔149a及149b,用以朝该晶圆w喷洒经由该等第一及第二供应线151及156所供应的气体,其中该喷嘴140包括第一、第二及第三扩散板141、144及147,其系被连续地堆叠,其中该第一扩散板141包括被连接至第二供应线156的放射状通道142以及用以与该等放射状通道142进行交换的第一分配孔142a及142b;该第二扩散板144包括一第二扩散区145,用以均匀地扩散经由该等第一分配孔142a及142b所供应的气体;以及以等间隔的方式形成于该第二扩散区145中的第二分配孔145a:以及该第三扩散板147,其包括一第三扩散区148,用以均匀地扩散经由该第一供应线151所供应的气体;第一喷孔149a,用以喷洒经由该第三扩散区148所供应的气体;以及第二喷孔149b,用以喷洒经由该等第二分配孔145a所供应的气体,该等第一及第二喷孔149a及149b都系以特定的间隔形成。2.如申请专利范围第1项之装置,其中会在该顶盘130上形成多数个盘分配孔132,用以连接该第二供应线156及该等第一分配孔142a及142b。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该第二扩散板144的上表面系以不平整的方式形成,而该等第二分配孔145a则系形成于凹部中。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该第三扩散板147的上表面系以不平整的方式形成,而该等第一喷孔149a系形成于凹部中,而该等第二喷孔149b则形成于凸部中。5.如申请专利范围第1项之装置,其进一步包括一第一扩散器163,其具有多个以对称方式所形成的开孔163a,用以均匀地混合经由该第一供应线151所供应的第一反应气体及/或钝性气体,并且将该气体喷洒于第三扩散区148。6.如申请专利范围第1项之装置,其进一步包括一第二扩散器168,其系内建于扩散反应室167之中,用以均匀地混合经由该第二供应线156所供应的第二反应气体及/或钝性气体,并且将该气体供应至该放射状通道142,其中开孔168a会以对称方式形成在该第二扩散器168中。7.如申请专利范围第1项之装置,其中会在该顶盘130中形成冷却通道133,用以让冷却剂于流经其中。8.如申请专利范围第1项之装置,其中该冷却通道133包括一形成于该喷嘴140之中间部份上的内侧冷却通道133a以及用以包围该内侧冷却通道13。图式简单说明:图1为用以在晶圆上沉积薄膜的装置之剖面图;图2及3为图1之顶盘及喷嘴的分解立体图,其中图2为俯视图而图3为仰视图;图4及5为图1之第一扩散板的立体图,其中图4为俯视图而图5为仰视图;图6及7为图1之第二扩散板的立体图,其中图6为俯视图而图7为仰视图;图8及9为图1之第三扩散板的立体图,其中图8为俯视图而图9为仰视图;图10为图1之反应气体引入器的透视图;图11及12为内建于图10之反应气体引入器中的第二扩散器之立体图,其中图11为俯视图而图12为仰视图;以及图13为形成于图1之顶盘中的冷却通道的平面图。 |
