包含光伏打活性半导体材料于其中之光伏打电池

摘要

本发明系关于一种包含光伏打活性半导体材料之光伏打电池，其中该光伏打活性半导体材料为式(I)之材料、式(II)之材料或其组合之材料：(I)(Zn1-xMgxTe)1-y(MnTem)y及(II)(ZnTe)1-y(MeaMb)y，其中MnTem及MeaMb各自为掺杂剂，其中M系至少一种选自由Si、Ge、Sn、Pb、Sb及Bi组成之群之元素，且Me系至少一种选自由Mg及Zn组成之群之元素，且x=0至05 y=0.0001至0.05 n=1至2 m=0.5至4 a=1至5及b=1至3。