发明名称 蚀刻制程与获得蚀刻液对于金属材料层之蚀刻率的方法
摘要 一种蚀刻制程与获得蚀刻液对于金属材料层之蚀刻率的方法,此蚀刻制程适于藉由一蚀刻机台对一批次内的多个基板进行蚀刻,其中每一基板上分别具有一金属材料叠层,以在蚀刻后形成一球底金属层。此蚀刻制程的特征在于:在对基板进行蚀刻之前,预先提供一测试基板,且此测试基板上具有一测试材料层,其中此测试材料层与金属材料叠层的其中一层具有相同的材质,以模拟该层的蚀刻特性;藉由蚀刻机台对测试材料层进行蚀刻;计算蚀刻机台对测试材料层的蚀刻率;以及,依据所得到的蚀刻率来控制蚀刻机台对基板上之金属材料叠层的蚀刻量。
申请公布号 TW200733222 申请公布日期 2007.09.01
申请号 TW095106515 申请日期 2006.02.27
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 何聪杰;苏政学
分类号 H01L21/306(2006.01);H01L21/66(2006.01) 主分类号 H01L21/306(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号
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